Semicera Semicera tillhandahåller specialiserade tantalkarbid (TaC) beläggningar för olika komponenter och bärare.Semicera Semicera ledande beläggningsprocess gör det möjligt för tantalkarbid (TaC)-beläggningar att uppnå hög renhet, hög temperaturstabilitet och hög kemisk tolerans, vilket förbättrar produktkvaliteten för SIC/GAN-kristaller och EPI-skikt (Grafitbelagd TaC-susceptor), och förlänger livslängden för nyckelreaktorkomponenter.Användningen av tantalkarbid TaC-beläggning är att lösa kantproblemet och förbättra kvaliteten på kristalltillväxt, och Semicera Semicera har genombrott löst tantalkarbidbeläggningstekniken (CVD), och nått den internationella avancerade nivån.
Efter år av utveckling har Semicera erövrat tekniken förCVD TaCmed FoU-avdelningens gemensamma insatser.Defekter är lätta att uppstå i tillväxtprocessen av SiC-skivor, men efter användningTaC, skillnaden är betydande.Nedan är en jämförelse av wafers med och utan TaC, samt Simiceras delar för enkristalltillväxt
med och utan TaC
Efter att ha använt TaC (höger)
Dessutom är livslängden för Semiceras TaC-beläggningsprodukter längre och mer motståndskraftig mot höga temperaturer än för SiC-beläggning.Efter lång tid av laboratoriemätdata kan vår TaC arbeta länge vid max 2300 grader Celsius.Följande är några av våra exempel:
(a) Schematiskt diagram av SiC-enkristallgötodlingsanordning med PVT-metod (b) Topp TaC-belagd frökonsol (inklusive SiC-frö) (c) TAC-belagd grafitstyrring
