Det termiska oxidskiktet hos en kiselskiva är ett oxidskikt eller kiselskikt bildat på den kala ytan av en kiselskiva under höga temperaturförhållanden med ett oxidationsmedel.Det termiska oxidskiktet av kiselskiva odlas vanligtvis i en horisontell rörugn, och tillväxttemperaturområdet är i allmänhet 900 ° C ~ 1200 ° C, och det finns två tillväxtsätt av "våt oxidation" och "torr oxidation".Det termiska oxidskiktet är ett "vuxet" oxidskikt som har högre homogenitet och högre dielektrisk hållfasthet än det CVD-deponerade oxidskiktet.Det termiska oxidskiktet är ett utmärkt dielektriskt skikt som isolator.I många kiselbaserade enheter spelar det termiska oxidskiktet en viktig roll som dopningsblockerande skikt och ytdielektrikum.
Tips: Oxidationstyp
1. Torroxidation
Kislet reagerar med syre och oxidskiktet rör sig mot basalskiktet.Torr oxidation måste utföras vid en temperatur på 850 till 1200 ° C, och tillväxthastigheten är låg, vilket kan användas för MOS isolering grind tillväxt.När ett högkvalitativt, ultratunt kiseloxidskikt krävs, föredras torroxidation framför våtoxidation.
Torroxidationskapacitet: 15nm~300nm (150A ~ 3000A)
2. Våtoxidation
Denna metod använder en blandning av väte och högrent syre för att brinna vid ~1000 ° C, vilket producerar vattenånga för att bilda ett oxidskikt.Även om våt oxidation inte kan producera lika högkvalitativt oxidationsskikt som torr oxidation, men tillräckligt för att användas som en isoleringszon, jämfört med torr oxidation har en klar fördel är att den har en högre tillväxthastighet.
Våtoxidationskapacitet: 50nm~ 15µm (500A ~15µm)
3. Torr metod - våt metod - torr metod
I denna metod släpps rent torrt syre ut i oxidationsugnen i det inledande skedet, väte tillsätts i mitten av oxidationen och väte lagras i slutet för att fortsätta oxidationen med rent torrt syre för att bilda en tätare oxidationsstruktur än den vanliga våtoxidationsprocessen i form av vattenånga.
4. TEOS-oxidation
| Oxidationsteknik | Våtoxidation eller torroxidation |
| Diameter | 2" / 3" / 4" / 6" / 8" / 12" |
| Oxidtjocklek | 100 Å ~ 15 µm |
| Tolerans | +/- 5 % |
| Yta | Enkelsidig oxidation (SSO) / dubbelsidig oxidation (DSO) |
| Ugn | Horisontell rörugn |
| Gas | Vätgas och syregas |
| Temperatur | 900℃ ~ 1200 ℃ |
| Brytningsindex | 1,456 |
