Silicon Carbide Substrat|SiC Wafers

Kiselkarbidsubstrat|SiC-skivor Utvald bild

Kort beskrivning:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. är en ledande leverantör som specialiserar sig på wafer och avancerade halvledarförbrukningsvaror.Vi är dedikerade till att tillhandahålla högkvalitativa, pålitliga och innovativa produkter till halvledartillverkning, solcellsindustrin och andra relaterade områden.

Vår produktlinje inkluderar SiC/TaC-belagda grafitprodukter och keramiska produkter, som omfattar olika material som kiselkarbid, kiselnitrid och aluminiumoxid och etc.

För närvarande är vi den enda tillverkaren som tillhandahåller en renhet på 99,9999% SiC-beläggning och 99,9% omkristalliserad kiselkarbid.Den maximala SiC-beläggningslängden vi kan göra 2640 mm.

Skicka e-post till oss

Produktdetalj

Produkttaggar

Enkristallmaterial av kiselkarbid (SiC) har en stor bandgapbredd (~Si 3 gånger), hög värmeledningsförmåga (~Si 3,3 gånger eller GaAs 10 gånger), hög migrationshastighet för elektronmättnad (~Si 2,5 gånger), hög elektrisk nedbrytning fält (~Si 10 gånger eller GaAs 5 gånger) och andra enastående egenskaper.

SiC-enheter har oersättliga fördelar inom området för hög temperatur, högt tryck, hög frekvens, högeffekt elektroniska enheter och extrema miljötillämpningar såsom flyg, militär, kärnenergi, etc., kompenserar för defekterna i traditionella halvledarmaterialenheter i praktiken applikationer och håller gradvis på att bli huvudströmmen av krafthalvledare.

Specifikationer för 4H-SiC kiselkarbidsubstrat

Objekt项目	Specifikationer参数
Polytyp 晶型	4H-SiC	6H-SiC
Diameter 晶圆直径	2 tum \|3 tum \|4 tum \|6 tum	2 tum \|3 tum \|4 tum \|6 tum
Tjocklek 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Ledningsförmåga 导电类型	N – typ / Halvisolerande N型导电片/ 半绝缘片	N – typ / Halvisolerande N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2 (kväve)V (vanadin)	N2 (kväve) V (vanadin)
Orientering 晶向	På axel <0001> Av axel <0001> av 4°	På axel <0001> Av axel <0001> av 4°
Resistivitet 电阻率	0,015 ~ 0,03 ohm-cm (4H-N)	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (6H-N)
Micropipe Density (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Båge/varp 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Yta 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Kvalitet 产品等级	Produktions-/forskningsbetyg	Produktions-/forskningsbetyg
Crystal Stacking Sequence 堆积方式	ABCB	ABCABC
Gitterparameter 晶格参数	a=3,076A, c=10,053A	a=3,073A, c=15,117A
Eg/eV(Band-gap) 禁带宽度	3,27 eV	3,02 eV
ε(Dielektrisk konstant) 介电常数	9.6	9,66
Brytningsindex 折射率	n0 = 2,719 ne = 2,777	no = 2,707, ne = 2,755

6H-SiC Silicon Carbide substratspecifikationer

Objekt项目	Specifikationer参数
Polytyp 晶型	6H-SiC
Diameter 晶圆直径	4 tum \|6 tum
Tjocklek 厚度	350μm ~ 450μm
Ledningsförmåga 导电类型	N – typ / Halvisolerande N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2(kväve) V (vanadin)
Orientering 晶向	<0001> av 4°± 0,5°
Resistivitet 电阻率	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (6H-N typ)
Micropipe Density (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Båge/varp 翘曲度	≤25 μm
Yta 表面处理	Si Face: CMP, Epi-Ready C Ansikte: Optisk polish
Kvalitet 产品等级	Forskningsbetyg