Silicon Carbide Substrat|SiC Wafers

Kort beskrivning:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. är en ledande leverantör som specialiserar sig på wafer och avancerade halvledarförbrukningsvaror. Vi är dedikerade till att tillhandahålla högkvalitativa, pålitliga och innovativa produkter till halvledartillverkning, solcellsindustrin och andra relaterade områden.

Vår produktlinje inkluderar SiC/TaC-belagda grafitprodukter och keramiska produkter, som omfattar olika material som kiselkarbid, kiselnitrid och aluminiumoxid och etc.

För närvarande är vi den enda tillverkaren som tillhandahåller en renhet på 99,9999% SiC-beläggning och 99,9% omkristalliserad kiselkarbid. Den maximala SiC-beläggningslängden vi kan göra 2640 mm.

 

Produktdetaljer

Produkttaggar

SiC-Wafer

Enkristallmaterial av kiselkarbid (SiC) har en stor bandgapbredd (~Si 3 gånger), hög värmeledningsförmåga (~Si 3,3 gånger eller GaAs 10 gånger), hög migrationshastighet för elektronmättnad (~Si 2,5 gånger), hög elektrisk nedbrytning fält (~Si 10 gånger eller GaAs 5 gånger) och andra enastående egenskaper.

SiC-enheter har oersättliga fördelar inom området för hög temperatur, högt tryck, hög frekvens, högeffekt elektroniska enheter och extrema miljötillämpningar som flyg, militär, kärnenergi, etc., kompenserar för defekterna i traditionella halvledarmaterialenheter i praktiken applikationer, och håller gradvis på att bli huvudströmmen av krafthalvledare.

Specifikationer för 4H-SiC kiselkarbidsubstrat

Objekt项目

Specifikationer参数

Polytyp
晶型

4H-SiC

6H-SiC

Diameter
晶圆直径

2 tum | 3 tum | 4 tum | 6 tum

2 tum | 3 tum | 4 tum | 6 tum

Tjocklek
厚度

330 μm ~ 350 μm

330 μm ~ 350 μm

Ledningsförmåga
导电类型

N – typ / Halvisolerande
N型导电片/ 半绝缘片

N – typ / Halvisolerande
N型导电片/ 半绝缘片

Dopant
掺杂剂

N2 (kväve)V (vanadin)

N2 (kväve) V (vanadin)

Orientering
晶向

På axel <0001>
Av axel <0001> av 4°

På axel <0001>
Av axel <0001> av 4°

Resistivitet
电阻率

0,015 ~ 0,03 ohm-cm
(4H-N)

0,02 ~ 0,1 ohm-cm
(6H-N)

Micropipe Density (MPD)
微管密度

≤10/cm2 ~ ≤1/cm2

≤10/cm2 ~ ≤1/cm2

TTV
总厚度变化

≤ 15 μm

≤ 15 μm

Båge/varp
翘曲度

≤25 μm

≤25 μm

Yta
表面处理

DSP/SSP

DSP/SSP

Kvalitet
产品等级

Produktions-/forskningsbetyg

Produktions-/forskningsbetyg

Crystal Stacking Sequence
堆积方式

ABCB

ABCABC

Gitterparameter
晶格参数

a=3,076A, c=10,053A

a=3,073A, c=15,117A

Eg/eV(Band-gap)
禁带宽度

3,27 eV

3,02 eV

ε(dielektrisk konstant)
介电常数

9.6

9,66

Brytningsindex
折射率

n0 = 2,719 ne = 2,777

no = 2,707, ne = 2,755

6H-SiC Silicon Carbide substratspecifikationer

Objekt项目

Specifikationer参数

Polytyp
晶型

6H-SiC

Diameter
晶圆直径

4 tum | 6 tum

Tjocklek
厚度

350μm ~ 450μm

Ledningsförmåga
导电类型

N – typ / Halvisolerande
N型导电片/ 半绝缘片

Dopant
掺杂剂

N2(kväve)
V (vanadin)

Orientering
晶向

<0001> av 4°± 0,5°

Resistivitet
电阻率

0,02 ~ 0,1 ohm-cm
(6H-N typ)

Micropipe Density (MPD)
微管密度

≤ 10/cm2

TTV
总厚度变化

≤ 15 μm

Båge/varp
翘曲度

≤25 μm

Yta
表面处理

Si Face: CMP, Epi-Ready
C Ansikte: Optisk polish

Kvalitet
产品等级

Forskningsbetyg

Semicera Arbetsplats Semicera arbetsplats 2 Utrustningsmaskin CNN-bearbetning, kemisk rengöring, CVD-beläggning Vår tjänst


  • Tidigare:
  • Nästa: