Vårt företag tillhandahållerSiC-beläggningprocesstjänster på ytan av grafit, keramik och andra material med CVD-metoden, så att speciella gaser som innehåller kol och kisel kan reagera vid hög temperatur för att erhålla Sic-molekyler med hög renhet, som kan avsättas på ytan av belagda material för att bilda enSiC skyddsskiktför epitaxifat typ hy pnotisk.
Huvuddrag:
1. Hög renhet SiC-belagd grafit
2. Överlägsen värmebeständighet och termisk enhetlighet
3. BraSiC kristallbelagdför en slät yta
4. Hög hållbarhet mot kemisk rengöring
Huvudspecifikationer förCVD-SIC Beläggning
| SiC-CVD-egenskaper | ||
| Kristallstruktur | FCC β-fas | |
| Densitet | g/cm³ | 3.21 |
| Hårdhet | Vickers hårdhet | 2500 |
| Kornstorlek | μm | 2~10 |
| Kemisk renhet | % | 99,99995 |
| Värmekapacitet | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimeringstemperatur | ℃ | 2700 |
| Felexural styrka | MPa (RT 4-punkts) | 415 |
| Youngs modul | Gpa (4pt böj, 1300 ℃) | 430 |
| Termisk expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Värmeledningsförmåga | (W/mK) | 300 |
