Beskrivning
Wafer CarriersmedSilicon Carbide (SiC) beläggningfrån semicera är expertdesignade för högpresterande epitaxiell tillväxt, vilket säkerställer optimala resultat iSi EpitaxiochSiC Epitaxiapplikationer. Semiceras precisionskonstruerade bärare är byggda för att motstå extrema förhållanden, vilket gör dem till väsentliga komponenter i MOCVD Susceptor-system för industrier som kräver hög noggrannhet och hållbarhet.
Dessa waferbärare är mångsidiga och stödjer kritiska processer med utrustning som t.exPSS Etsningsbärare, ICP Etsningsbärare, ochRTP-operatör. Deras robusta SiC-beläggning förbättrar prestandan för applikationer somLED EpitaxialSusceptor och monokristallint kisel, som säkerställer konsekventa resultat även i krävande miljöer.
Tillgängliga i flera konfigurationer, såsom Barrel Susceptor och Pancake Susceptor, spelar dessa bärare en viktig roll i solcells- och halvledartillverkning, stödjer produktionen av fotovoltaiska delar och underlättar GaN på SiC-epitaxiprocesser. Med sin överlägsna design är dessa bärare en viktig tillgång för tillverkare som strävar efter högeffektiv produktion.
Huvudfunktioner
1. Hög renhet SiC-belagd grafit
2. Överlägsen värmebeständighet & termisk enhetlighet
3. BraSiC kristallbelagdför en slät yta
4. Hög hållbarhet mot kemisk rengöring
Huvudspecifikationer för CVD-SIC-beläggningar:
SiC-CVD | ||
Densitet | (g/cc) | 3.21 |
Böjhållfasthet | (Mpa) | 470 |
Termisk expansion | (10-6/K) | 4 |
Värmeledningsförmåga | (W/mK) | 300 |
Packning och frakt
Försörjningsförmåga:
10 000 stycken/stycken per månad
Förpackning och leverans:
Förpackning: Standard och stark förpackning
Polypåse + Box + Kartong + Pall
Hamn:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Ledtid:
Kvantitet (stycken) | 1-1000 | >1000 |
Uppskattad Tid (dagar) | 30 | Ska förhandlas |