Semiceras SOI Wafer (Silicon On Insulator) är designad för att leverera överlägsen elektrisk isolering och termisk prestanda. Denna innovativa waferstruktur, med ett kiselskikt på ett isolerande skikt, säkerställer förbättrad enhetsprestanda och minskad strömförbrukning, vilket gör den idealisk för en mängd olika högteknologiska applikationer.
Våra SOI-skivor erbjuder exceptionella fördelar för integrerade kretsar genom att minimera parasitisk kapacitans och förbättra enhetens hastighet och effektivitet. Detta är avgörande för modern elektronik, där hög prestanda och energieffektivitet är avgörande för både konsument- och industriapplikationer.
Semicera använder avancerade tillverkningstekniker för att producera SOI-wafers med jämn kvalitet och tillförlitlighet. Dessa wafers ger utmärkt värmeisolering, vilket gör dem lämpliga för användning i miljöer där värmeavledning är ett problem, såsom i elektroniska enheter med hög densitet och energiledningssystem.
Användningen av SOI-skivor i halvledartillverkning möjliggör utveckling av mindre, snabbare och mer pålitliga chips. Semiceras engagemang för precisionsteknik säkerställer att våra SOI-wafers uppfyller de höga standarder som krävs för banbrytande teknologier inom områden som telekommunikation, fordon och konsumentelektronik.
Att välja Semiceras SOI Wafer innebär att investera i en produkt som stödjer utvecklingen av elektroniska och mikroelektroniska teknologier. Våra wafers är designade för att ge förbättrad prestanda och hållbarhet, vilket bidrar till framgången för dina högteknologiska projekt och säkerställer att du ligger i framkant av innovation.
Föremål | Produktion | Forskning | Dummy |
Kristallparametrar | |||
Polytyp | 4H | ||
Ytorienteringsfel | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektriska parametrar | |||
Dopant | n-typ kväve | ||
Resistivitet | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mekaniska parametrar | |||
Diameter | 150,0±0,2 mm | ||
Tjocklek | 350±25 μm | ||
Primär platt orientering | [1-100]±5° | ||
Primär platt längd | 47,5±1,5 mm | ||
Sekundär lägenhet | Ingen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Rosett | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Varp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Främre (Si-face) grovhet (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Strukturera | |||
Mikropipdensitet | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
Metallföroreningar | ≤5E10atomer/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Främre kvalitet | |||
Främre | Si | ||
Ytfinish | Si-face CMP | ||
Partiklar | ≤60ea/wafer (storlek≥0,3μm) | NA | |
Repor | ≤5ea/mm. Kumulativ längd ≤Diameter | Kumulativ längd≤2*Diameter | NA |
Apelsinskal/gropar/fläckar/ränder/sprickor/kontamination | Ingen | NA | |
Kantspån/indrag/brott/sexplåtar | Ingen | ||
Polytypområden | Ingen | Kumulativ yta≤20 % | Kumulativ yta≤30 % |
Lasermärkning framtill | Ingen | ||
Ryggkvalitet | |||
Bakre finish | C-face CMP | ||
Repor | ≤5ea/mm, Kumulativ längd≤2*Diameter | NA | |
Ryggdefekter (kantspån/indrag) | Ingen | ||
Ryggsträvhet | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Rygglasermärkning | 1 mm (från överkant) | ||
Kant | |||
Kant | Avfasning | ||
Förpackning | |||
Förpackning | Epi-ready med vakuumförpackning Multi-wafer kassettförpackning | ||
*Anmärkningar: "NA" betyder ingen begäran. Objekt som inte nämns kan referera till SEMI-STD. |