Semiceras keramiska substrat av silikonnitrid representerar toppen av avancerad materialteknologi, vilket ger exceptionell värmeledningsförmåga och robusta mekaniska egenskaper. Detta substrat är konstruerat för högpresterande applikationer och utmärker sig i miljöer som kräver pålitlig värmehantering och strukturell integritet.
Våra keramiska kiselnitridsubstrat är designade för att tåla extrema temperaturer och hårda förhållanden, vilket gör dem idealiska för högeffekts- och högfrekventa elektroniska enheter. Deras överlägsna värmeledningsförmåga säkerställer effektiv värmeavledning, vilket är avgörande för att bibehålla prestanda och livslängd hos elektroniska komponenter.
Semiceras engagemang för kvalitet är uppenbart i varje keramiskt kiselnitridsubstrat vi producerar. Varje substrat tillverkas med hjälp av state-of-the-art processer för att säkerställa konsekvent prestanda och minimala defekter. Denna höga precisionsnivå stöder de rigorösa kraven från industrier som fordon, flyg och telekommunikation.
Förutom deras termiska och mekaniska fördelar erbjuder våra substrat utmärkta elektriska isoleringsegenskaper, vilket bidrar till den övergripande tillförlitligheten hos dina elektroniska enheter. Genom att minska elektriska störningar och förbättra komponentstabiliteten spelar Semiceras keramiska kiselnitridsubstrat en avgörande roll för att optimera enhetens prestanda.
Att välja Semiceras keramiska substrat av silikonnitrid innebär att investera i en produkt som levererar både hög prestanda och hållbarhet. Våra substrat är konstruerade för att möta behoven hos avancerade elektroniska applikationer, vilket säkerställer att dina enheter drar nytta av banbrytande materialteknik och exceptionell tillförlitlighet.
Föremål | Produktion | Forskning | Dummy |
Kristallparametrar | |||
Polytyp | 4H | ||
Ytorienteringsfel | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektriska parametrar | |||
Dopant | n-typ kväve | ||
Resistivitet | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mekaniska parametrar | |||
Diameter | 150,0±0,2 mm | ||
Tjocklek | 350±25 μm | ||
Primär platt orientering | [1-100]±5° | ||
Primär platt längd | 47,5±1,5 mm | ||
Sekundär lägenhet | Ingen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Rosett | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Varp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Främre (Si-face) grovhet (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Strukturera | |||
Mikropipdensitet | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
Metallföroreningar | ≤5E10atomer/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Främre kvalitet | |||
Främre | Si | ||
Ytfinish | Si-face CMP | ||
Partiklar | ≤60ea/wafer (storlek≥0,3μm) | NA | |
Repor | ≤5ea/mm. Kumulativ längd ≤Diameter | Kumulativ längd≤2*Diameter | NA |
Apelsinskal/gropar/fläckar/ränder/sprickor/kontamination | Ingen | NA | |
Kantspån/indrag/brott/sexplåtar | Ingen | ||
Polytypområden | Ingen | Kumulativ yta≤20 % | Kumulativ yta≤30 % |
Lasermärkning framtill | Ingen | ||
Ryggkvalitet | |||
Bakre finish | C-face CMP | ||
Repor | ≤5ea/mm, Kumulativ längd≤2*Diameter | NA | |
Ryggdefekter (kantspån/indrag) | Ingen | ||
Ryggsträvhet | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Rygglasermärkning | 1 mm (från överkant) | ||
Kant | |||
Kant | Avfasning | ||
Förpackning | |||
Förpackning | Epi-ready med vakuumförpackning Multi-wafer kassettförpackning | ||
*Anmärkningar: "NA" betyder ingen begäran. Objekt som inte nämns kan referera till SEMI-STD. |