Beskrivning
DeSilicon Carbide (SiC) Wafer Susceptorerför MOCVD från semicera är designade för avancerade epitaxiella processer, och erbjuder överlägsen prestanda för bådeSi EpitaxiochSiC Epitaxiapplikationer. Semiceras innovativa tillvägagångssätt säkerställer att dessa susceptorer är hållbara och effektiva, vilket ger stabilitet och precision för kritiska tillverkningsoperationer.
Konstruerad för att stödja de invecklade behoven hosMOCVD-susceptorsystem, dessa produkter är mångsidiga, kompatibla med bärare som PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier och RTP Carrier. Deras flexibilitet gör dem lämpliga för högteknologiska industrier, inklusive de som arbetar medLED EpitaxialSusceptor och monokristallint kisel.
Med flera konfigurationer, inklusive Barrel Susceptor och Pancake Susceptor, är dessa wafer-susceptorer också viktiga inom solcellssektorn, och stödjer tillverkning av fotovoltaiska delar. För halvledartillverkare gör förmågan att hantera GaN på SiC Epitaxy-processer dessa susceptorer mycket värdefulla för att säkerställa högkvalitativ utdata över ett brett spektrum av applikationer.
Huvudfunktioner
1. Hög renhet SiC-belagd grafit
2. Överlägsen värmebeständighet & termisk enhetlighet
3. BraSiC kristallbelagdför en slät yta
4. Hög hållbarhet mot kemisk rengöring
Huvudspecifikationer för CVD-SIC-beläggningar:
SiC-CVD | ||
Densitet | (g/cc) | 3.21 |
Böjhållfasthet | (Mpa) | 470 |
Termisk expansion | (10-6/K) | 4 |
Värmeledningsförmåga | (W/mK) | 300 |
Packning och frakt
Försörjningsförmåga:
10 000 stycken/stycken per månad
Förpackning och leverans:
Förpackning: Standard och stark förpackning
Polypåse + Box + Kartong + Pall
Hamn:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Ledtid:
Kvantitet (stycken) | 1-1000 | >1000 |
Uppskattad Tid (dagar) | 30 | Ska förhandlas |