CVD Bulk Silicon Carbide (SiC)
Översikt:CVDbulk kiselkarbid (SiC)är ett mycket eftertraktat material i plasmaetsningsutrustning, applikationer för snabb termisk bearbetning (RTP) och andra halvledartillverkningsprocesser. Dess exceptionella mekaniska, kemiska och termiska egenskaper gör det till ett idealiskt material för avancerade teknologiapplikationer som kräver hög precision och hållbarhet.
Tillämpningar av CVD Bulk SiC:Bulk SiC är avgörande i halvledarindustrin, särskilt i plasmaetsningssystem, där komponenter som fokusringar, gasduschhuvuden, kantringar och plattor drar nytta av SiC:s enastående korrosionsbeständighet och värmeledningsförmåga. Dess användning sträcker sig tillRTPsystem på grund av SiC:s förmåga att motstå snabba temperaturfluktuationer utan betydande försämring.
Förutom etsningsutrustning, CVDbulk SiCär att föredra i diffusionsugnar och kristalltillväxtprocesser, där hög termisk stabilitet och motståndskraft mot tuffa kemiska miljöer krävs. Dessa egenskaper gör SiC till det valda materialet för applikationer med hög efterfrågan som involverar höga temperaturer och korrosiva gaser, såsom de som innehåller klor och fluor.
Fördelar med CVD Bulk SiC-komponenter:
•Hög densitet:Med en densitet på 3,2 g/cm³,CVD bulk SiCkomponenter är mycket motståndskraftiga mot slitage och mekanisk påverkan.
•Överlägsen värmeledningsförmåga:Bulk SiC erbjuder värmeledningsförmåga på 300 W/m·K och hanterar värme effektivt, vilket gör den idealisk för komponenter som utsätts för extrema termiska cykler.
•Exceptionell kemisk beständighet:SiC:s låga reaktivitet med etsande gaser, inklusive klor och fluorbaserade kemikalier, säkerställer förlängd komponentlivslängd.
•Justerbar resistivitet: CVD bulk SiCresistiviteten kan anpassas inom området 10⁻²–10⁴ Ω-cm, vilket gör den anpassningsbar till specifika etsnings- och halvledartillverkningsbehov.
•Termisk expansionskoefficient:Med en termisk expansionskoefficient på 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C) motstår CVD bulk SiC termisk chock och bibehåller dimensionsstabilitet även under snabba uppvärmnings- och kylcykler.
•Hållbarhet i plasma:Exponering för plasma och reaktiva gaser är oundviklig i halvledarprocesser, menCVD bulk SiCger överlägsen motståndskraft mot korrosion och nedbrytning, vilket minskar utbytesfrekvensen och de totala underhållskostnaderna.
Tekniska specifikationer:
•Diameter:Större än 305 mm
•Resistivitet:Justerbar inom 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Densitet:3,2 g/cm³
•Värmeledningsförmåga:300 W/m·K
•Termisk expansionskoefficient:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Anpassning och flexibilitet:PåSemicera Semiconductor, förstår vi att varje halvledarapplikation kan kräva olika specifikationer. Det är därför våra CVD bulk SiC-komponenter är helt anpassningsbara, med justerbar resistivitet och skräddarsydda dimensioner för att passa dina utrustningsbehov. Oavsett om du optimerar dina plasmaetsningssystem eller letar efter hållbara komponenter i RTP- eller diffusionsprocesser, levererar vår CVD bulk SiC oöverträffad prestanda.
