-
Utforska epitaxialskivor av halvledarkiselkarbid: prestandafördelar och applikationsmöjligheter
Inom dagens område för elektronisk teknik spelar halvledarmaterial en avgörande roll. Bland dem, kiselkarbid (SiC) som ett halvledarmaterial med brett bandgap, med sina utmärkta prestandafördelar, såsom högt elektriskt fält, hög mättnadshastighet, h...Läs mer -
Grafithård filt – innovativt material, öppnar en ny era av vetenskap och teknik
Som ett nytt material grafit hårt filt, är tillverkningsprocessen ganska unik. Under blandnings- och filtningsprocessen samverkar grafenfibrer och glasfibrer för att bilda ett nytt material som behåller både den höga elektriska ledningsförmågan och höga hållfastheten hos grafen och ...Läs mer -
Vad är halvledarkiselkarbid (SiC) wafer
Halvledarkiselkarbidskivor (SiC), detta nya material har gradvis dykt upp under de senaste åren, med sina unika fysikaliska och kemiska egenskaper, injicerat en ny vitalitet för halvledarindustrin. SiC-skivor, som använder monokristaller som råmaterial, är noggrant g...Läs mer -
Produktionsprocess för kiselkarbidwafer
Kiselkarbidskiva är gjord av högrent kiselpulver och högrent kolpulver som råmaterial, och kiselkarbidkristall odlas med fysikalisk ångöverföringsmetod (PVT) och bearbetas till kiselkarbidskiva. ① Råvarusyntes. Hög ren sili...Läs mer -
Kiselkarbidbeläggning: halvledarindustrins nya älskling
Med den snabba utvecklingen av halvledarindustrin blir det nya materialet kiselkarbid (SiC) beläggningen gradvis branschens stjärnmaterial. Kiselkarbidbelagd grafit används i stor utsträckning i elektroniska halvledarprodukter med hög temperatur/högspänning...Läs mer -
Kiselkarbidbeläggningar: Nya genombrott inom materialvetenskap
Med utvecklingen av vetenskap och teknik förändrar det nya materialet kiselkarbidbeläggningen gradvis våra liv. Denna beläggning, som förbereds på ytan av delar genom fysisk eller kemisk ångavsättning, sprutning och andra metoder, har tilldragit sig stor uppmärksamhet...Läs mer -
SiC-belagd grafitfat
Som en av kärnkomponenterna i MOCVD-utrustning är grafitbas bäraren och uppvärmningskroppen för substratet, vilket direkt bestämmer likformigheten och renheten hos filmmaterialet, så dess kvalitet påverkar direkt beredningen av det epitaxiala arket och vid . ..Läs mer -
Metod för framställning av kiselkarbidbeläggning
För närvarande inkluderar beredningsmetoderna för SiC-beläggning huvudsakligen gel-sol-metoden, inbäddningsmetod, borstbeläggningsmetod, plasmasprutningsmetod, kemisk gasreaktionsmetod (CVR) och kemisk ångavsättningsmetod (CVD). Inbäddningsmetod: Metoden är en slags hög...Läs mer -
Grattis till vår (Semicera), partner, SAN 'an Optoelectronics, till uppgången i aktiekursen
24 oktober -- Aktierna i San'an Optoelectronics klättrade så mycket som 3,8 idag efter att den kinesiska halvledartillverkaren sa att dess kiselkarbidfabrik, som kommer att leverera företagets autochip joint venture med den schweiziska teknikjätten ST Microelectronics när den är klar. .Läs mer -
Försiktighetsåtgärder för användning av keramiska strukturdelar av aluminiumoxid
Under de senaste åren har aluminiumoxidkeramik använts i stor utsträckning inom avancerade områden som instrumentering, medicinsk behandling av livsmedel, solceller, mekaniska och elektriska apparater, laserhalvledare, petroleummaskiner, militär bilindustri, flyg och andra...Läs mer -
Materialstruktur och egenskaper hos sintrad kiselkarbid under atmosfärstryck
【Sammanfattande beskrivning】 I moderna C, N, B och andra icke-oxiderade högteknologiska eldfasta råmaterial är sintrad kiselkarbid vid atmosfärstryck omfattande och ekonomisk, och kan sägas vara smärgel eller eldfast sand. Ren kiselkarbid är färglös transparent kr...Läs mer -
Tillverkningsmetod för transport av anordning av kiselkarbidugnsrör
Kiselkarbidugnsrör har hög temperatur, slitstyrka, korrosionsbeständighet, hög hårdhet, hög hållfasthet, hög värmeledningsförmåga, hög kyla och varma plötsliga förändringar, bra oxidationsbeständighet och andra utmärkta egenskaper, i en mängd olika värme ...Läs mer