-
Semiconductor Manufacturing Process – Etsningsteknik
Hundratals processer krävs för att förvandla en wafer till en halvledare. En av de viktigaste processerna är etsning - det vill säga att skära ut fina kretsmönster på wafern. Framgången för etsningsprocessen beror på att hantera olika variabler inom ett visst distributionsområde, och varje etsning...Läs mer -
Idealiskt material för fokusringar i plasmaetsningsutrustning: kiselkarbid (SiC)
I plasmaetsningsutrustning spelar keramiska komponenter en avgörande roll, inklusive fokusringen. Fokusringen, placerad runt wafern och i direkt kontakt med den, är väsentlig för att fokusera plasman på wafern genom att applicera spänning på ringen. Detta förbättrar un...Läs mer -
Front End of Line (FEOL): Lägger grunden
Framsidan av produktionslinjen är som att lägga grunden och bygga väggarna i ett hus. I halvledartillverkning innebär detta steg att skapa de grundläggande strukturerna och transistorerna på en kiselskiva. Viktiga steg för FEOL: ...Läs mer -
Effekt av enkristallbearbetning av kiselkarbid på wafers ytkvalitet
Halvledarkraftenheter intar en central position inom kraftelektroniksystem, särskilt i samband med den snabba utvecklingen av tekniker som artificiell intelligens, 5G-kommunikation och nya energifordon, prestandakraven för dem har varit ...Läs mer -
Nyckelmaterial för SiC-tillväxt: Tantalkarbidbeläggning
För närvarande domineras tredje generationens halvledare av kiselkarbid. I kostnadsstrukturen för sina enheter står substratet för 47% och epitaxi för 23%. De två tillsammans står för cirka 70 %, vilket är den viktigaste delen av tillverkningen av kiselkarbidenheter...Läs mer -
Hur förbättrar tantalkarbidbelagda produkter korrosionsbeständigheten hos material?
Tantalkarbidbeläggning är en vanlig ytbehandlingsteknik som avsevärt kan förbättra korrosionsbeständigheten hos material. Tantalkarbidbeläggning kan fästas på ytan av substratet genom olika beredningsmetoder, såsom kemisk ångavsättning, fysikalisk...Läs mer -
Igår utfärdade Science and Technology Innovation Board ett tillkännagivande att Huazhuo Precision Technology avslutade sin börsnotering!
Tillkännagav precis leveransen av den första 8-tums SIC-laserglödgningsutrustningen i Kina, vilket också är Tsinghuas teknologi; Varför drog de tillbaka materialen själva? Bara några ord: För det första är produkterna för olika! Vid första anblicken vet jag inte vad de gör. För närvarande är H...Läs mer -
CVD kiselkarbidbeläggning-2
CVD kiselkarbidbeläggning 1. Varför finns det en kiselkarbidbeläggning Det epitaxiella skiktet är en specifik enkristall tunn film som odlats på basen av wafern genom den epitaxiella processen. Substratskivan och den epitaxiella tunna filmen kallas tillsammans epitaxiella wafers. Bland dem är...Läs mer -
Förberedelseprocess för SIC-beläggning
För närvarande inkluderar beredningsmetoderna för SiC-beläggning huvudsakligen gel-sol-metoden, inbäddningsmetod, borstbeläggningsmetod, plasmasprutningsmetod, kemisk ångreaktionsmetod (CVR) och kemisk ångavsättningsmetod (CVD). InbäddningsmetodDenna metod är en slags högtemperaturfast fas ...Läs mer -
CVD Silicon Carbide Coating-1
Vad är CVD SiC Chemical Vapour Deposition (CVD) är en vakuumdepositionsprocess som används för att producera fasta material med hög renhet. Denna process används ofta inom halvledartillverkning för att bilda tunna filmer på ytan av wafers. I processen att framställa SiC genom CVD exponeras substratet...Läs mer -
Analys av dislokationsstruktur i SiC-kristall genom strålspårningssimulering assisterad av röntgentopologisk avbildning
Forskningsbakgrund Applikationsvikt för kiselkarbid (SiC): Som ett halvledarmaterial med brett bandgap har kiselkarbid väckt stor uppmärksamhet på grund av dess utmärkta elektriska egenskaper (såsom större bandgap, högre elektronmättnadshastighet och värmeledningsförmåga). Dessa rekvisita...Läs mer -
Frökristallberedningsprocess i SiC-enkristalltillväxt 3
Tillväxtverifiering Kiselkarbid-(SiC)-frökristallerna framställdes enligt den skisserade processen och validerades genom SiC-kristalltillväxt. Tillväxtplattformen som användes var en egenutvecklad SiC-induktionstillväxtugn med en tillväxttemperatur på 2200℃, ett tillväxttryck på 200 Pa och en tillväxt...Läs mer