【 Sammanfattande beskrivning 】 I moderna C, N, B och andra icke-oxidfria högteknologiska eldfasta råvaror, sintrade atmosfärstryckkiselkarbidär omfattande och ekonomisk, och kan sägas vara smärgel eller eldfast sand. Renkiselkarbidär färglös transparent kristall. Så vad är materialets struktur och egenskaperkiselkarbid?
Materialstruktur av atmosfärstryck sintradkiselkarbid:
Atmosfärstrycket sintradekiselkarbidsom används i industrin är ljusgul, grön, blå och svart beroende på typen och innehållet av föroreningar, och renheten är annorlunda och transparensen är annorlunda. Kiselkarbidkristallstrukturen är uppdelad i sex-ord eller diamantformad plutonium och kubisk plutonium-sic. Plutonium-sic bildar en mängd olika deformationer på grund av den olika staplingsordningen av kol- och kiselatomer i kristallstrukturen, och mer än 70 typer av deformation har hittats. beta-SIC omvandlas till alfa-SIC över 2100. Den industriella processen för kiselkarbid förfinas med högkvalitativ kvartssand och petroleumkoks i en motståndsugn. Raffinerade kiselkarbidblock krossas, syra-basrengöring, magnetisk separation, siktning eller vattenval för att producera en mängd olika partikelstorleksprodukter.
Materialegenskaper för atmosfärstrycksintrad kiselkarbid:
Kiselkarbid har god kemisk stabilitet, värmeledningsförmåga, värmeutvidgningskoefficient, slitstyrka, så förutom slipande användning finns det många användningsområden: Till exempel är kiselkarbidpulvret belagt på turbinhjulets eller cylinderblockets innervägg med en speciell process, som kan förbättra slitstyrkan och förlänga livslängden med 1 till 2 gånger. Tillverkad av värmebeständig, liten storlek, lätt vikt, hög hållfasthet av högkvalitativa eldfasta material, energieffektiviteten är mycket bra. Lågvärdig kiselkarbid (inklusive cirka 85 % SiC) är en utmärkt desoxideringsmedel för att öka ståltillverkningshastigheten och enkelt kontrollera den kemiska sammansättningen för att förbättra stålkvaliteten. Dessutom används sintrad kiselkarbid vid atmosfärstryck också i stor utsträckning vid tillverkning av elektriska delar av kiselkolstavar.
Kiselkarbid är väldigt hårt. Morse-hårdheten är 9,5, näst efter världens hårda diamant (10), är en halvledare med utmärkt värmeledningsförmåga, kan motstå oxidation vid höga temperaturer. Kiselkarbid har minst 70 kristallina typer. Plutonium-kiselkarbid är en vanlig isomer som bildas vid temperaturer över 2000 och har en hexagonal kristallin struktur (liknar wurtzite). Sintrad kiselkarbid under atmosfärstryck
Tillämpning avkiselkarbidinom halvledarindustrin
Kiselkarbidhalvledarindustrins kedja inkluderar huvudsakligen kiselkarbidpulver med hög renhet, enkristallsubstrat, epitaxialplåt, kraftkomponenter, modulförpackningar och terminalapplikationer.
1. Enkristallsubstrat Enkristallsubstrat är ett halvledarbärande material, ledande material och epitaxiellt tillväxtsubstrat. För närvarande inkluderar tillväxtmetoderna för SiC-enkristaller fysikalisk ångöverföringsmetod (PVT-metoden), vätskefasmetoden (LPE-metoden) och högtemperaturkemisk ångavsättningsmetod (HTCVD-metoden). Sintrad kiselkarbid under atmosfärstryck
2. Epitaxialskiva Kiselkarbidepitaxialskiva, kiselkarbidskiva, enkristallfilm (epitaxialskikt) med samma riktning som substratkristallen som har vissa krav på kiselkarbidsubstratet. I praktiska tillämpningar tillverkas halvledaranordningar med bredbandiga gap nästan alla i det epitaxiella skiktet, och själva kiselchipset används endast som substrat, inklusive substratet av GaN-epitaxialskiktet.
3. Högrent kiselkarbidpulver Högrent kiselkarbidpulver är råmaterialet för tillväxten av enkristall av kiselkarbid med PVT-metoden, och produktens renhet påverkar direkt tillväxtkvaliteten och de elektriska egenskaperna hos enkristall av kiselkarbid.
4. Kraftenheten är en bredbandskraft gjord av kiselkarbidmaterial, som har egenskaperna hög temperatur, hög frekvens och hög effektivitet. Enligt enhetens driftsform inkluderar SiC-strömförsörjningsanordningen huvudsakligen en effektdiod och ett strömbrytarrör.
5. Terminal I tredje generationens halvledarapplikationer har kiselkarbidhalvledare fördelen av att vara komplementära till galliumnitridhalvledare. På grund av den höga konverteringseffektiviteten, låga värmeegenskaperna, lätta och andra fördelar med SiC-enheter, fortsätter efterfrågan från nedströmsindustrin att öka, och det finns en trend att ersätta SiO2-enheter.
Posttid: 16-10-2023