SiC Wafer Boat
Kiselkarbid waferbåtär en lastbärande anordning för wafers, främst använd i sol- och halvledardiffusionsprocesser. Den har egenskaper som slitstyrka, korrosionsbeständighet, slaghållfasthet vid hög temperatur, motståndskraft mot plasmabombardement, hög temperaturbärande förmåga, hög värmeledningsförmåga, hög värmeavledning och långvarig användning som inte är lätt att böja och deformera. Vårt företag använder högrent kiselkarbidmaterial för att säkerställa livslängden och tillhandahåller skräddarsydda konstruktioner, inklusive. olika vertikala och horisontellawafer båt.
SiC Paddel
Defribärande paddel av kiselkarbidanvänds främst vid (diffusions)beläggning av kiselskivor, vilket spelar en avgörande roll vid lastning och transport av kiselskivor vid hög temperatur. Det är en nyckelkomponent ihalvledarskivalastningssystem och har följande huvudegenskaper:
1. Den deformeras inte i högtemperaturmiljöer och har en hög belastningskraft på skivorna;
2. Den är resistent mot extrem kyla och snabb värme, och har en lång livslängd;
3. Den termiska expansionskoefficienten är liten, vilket avsevärt förlänger underhålls- och rengöringscykeln och minskar föroreningarna avsevärt.
SiC Ugnsrör
Processrör av kiselkarbid, gjord av högrent SiC utan metalliska föroreningar, förorenar inte skivan och är lämplig för processer som halvledar- och fotovoltaisk diffusion, glödgning och oxidationsprocesser.
SiC Robotarm
SiC robotarm, även känd som wafer transfer end effector, är en robotarm som används för att transportera halvledarwafers och används i stor utsträckning inom halvledar-, optoelektronik- och solenergiindustrin. Att använda kiselkarbid med hög renhet, med hög hårdhet, slitstyrka, seismisk motstånd, långvarig användning utan deformation, lång livslängd, etc, kan tillhandahålla skräddarsydda tjänster.
Grafit för kristalltillväxt
Värmesköld i grafit
Grafitelektrodrör
Grafitdeflektor
Grafitchuck
Alla processer som används för att odla halvledarmaterial arbetar i högtemperatur- och korrosiva miljöer. Den varma zonen i kristalltillväxtugnen är vanligtvis försedd med värmebeständig och korrosionsbeständig hög renhet. grafitkomponenter, såsom grafitvärmare, deglar, cylindrar, deflektorer, chuckar, rör, ringar, hållare, muttrar, etc. Vår färdiga produkt kan uppnå en askhalt på mindre än 5 ppm.
Grafit för halvledarepitaxi
Grafit bas
Grafit epitaxial tunna
Monocry Stalline Silicon Epitaxial Base
MOCVD grafitdelar
Halvledargrafitfixtur
Epitaxiell process hänvisar till tillväxten av ett enkristallmaterial på ett enkristallsubstrat med samma gitterarrangemang som substratet. Det kräver många grafitdelar med ultrahög renhet och grafitbas med SIC-beläggning. Den högrenhetsgrafit som används för halvledarepitaxi har ett brett utbud av applikationer, som kan matcha den mest använda utrustningen i branschen, samtidigt som den har extremt hög. renhet, enhetlig beläggning, utmärkt livslängd och extremt hög kemisk beständighet och termisk stabilitet.
Isoleringsmaterial och annat
Värmeisoleringsmaterial som används i halvledartillverkning är grafithård filt, mjuk filt, grafitfolie, kolkompositmaterial etc. Våra råvaror är importerade grafitmaterial, som kan skäras enligt kundens specifikation, och kan även säljas som en hela. Kolkompositmaterial används vanligtvis som bärare för solcellsmonokristall- och polykiselcellproduktionsprocesser.