Semicera hög renhetPaddel i kiselkarbidär noggrant konstruerad för att möta de stränga kraven från moderna halvledartillverkningsprocesser. DettaSiC Cantilever paddelutmärker sig i högtemperaturmiljöer och erbjuder oöverträffad termisk stabilitet och mekanisk hållbarhet. SiC Cantilever-strukturen är byggd för att motstå extrema förhållanden, vilket säkerställer pålitlig waferhantering genom olika processer.
En av de viktigaste innovationerna iSiC Paddelär dess lätta men ändå robusta design, som möjliggör enkel integrering i befintliga system. Dess höga värmeledningsförmåga hjälper till att bibehålla waferns stabilitet under kritiska faser som etsning och deponering, vilket minimerar risken för waferskador och säkerställer högre produktionsutbyte. Användningen av kiselkarbid med hög densitet i skovelkonstruktionen ökar dess motståndskraft mot slitage, vilket ger förlängd livslängd och minskar behovet av frekventa byten.
Semicera lägger stor vikt vid innovation och levererar enSiC Cantilever paddelsom inte bara uppfyller utan överträffar branschstandarder. Denna paddel är optimerad för användning i olika halvledarapplikationer, från deponering till etsning, där precision och tillförlitlighet är avgörande. Genom att integrera denna banbrytande teknik kan tillverkare förvänta sig förbättrad effektivitet, minskade underhållskostnader och konsekvent produktkvalitet.
| Fysikaliska egenskaper hos omkristalliserad kiselkarbid | |
| Egendom | Typiskt värde |
| Arbetstemperatur (°C) | 1600°C (med syre), 1700°C (reducerande miljö) |
| SiC-innehåll | > 99,96 % |
| Gratis Si-innehåll | < 0,1 % |
| Bulkdensitet | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Synbar porositet | < 16 % |
| Kompressionsstyrka | > 600 MPa |
| Kallböjhållfasthet | 80-90 MPa (20°C) |
| Varmböjhållfasthet | 90-100 MPa (1400°C) |
| Termisk expansion @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Värmeledningsförmåga @1200°C | 23 W/m•K |
| Elastisk modul | 240 GPa |
| Motståndskraft mot termisk stöt | Extremt bra |
