High Purity CVD SiC Raw Material från Semicera är ett avancerat material designat för användning i högpresterande applikationer som kräver exceptionell termisk stabilitet, hårdhet och elektriska egenskaper. Tillverkat av högkvalitativ kemisk ångavsättning (CVD) kiselkarbid, ger detta råmaterial överlägsen renhet och konsistens, vilket gör det idealiskt för halvledartillverkning, högtemperaturbeläggningar och andra precisionsindustritillämpningar.
Semiceras High Purity CVD SiC-råmaterial är känt för sin utmärkta motståndskraft mot slitage, oxidation och termisk chock, vilket säkerställer pålitlig prestanda även i de mest krävande miljöer. Oavsett om det används i produktionen av halvledarenheter, slipverktyg eller avancerade beläggningar, ger detta material en solid grund för högpresterande applikationer som kräver högsta standard för renhet och precision.
Med Semiceras High Purity CVD SiC-råmaterial kan tillverkare uppnå överlägsen produktkvalitet och driftseffektivitet. Detta material stödjer en rad olika industrier, från elektronik till energi, och erbjuder hållbarhet och prestanda som är oöverträffad.
Semicera högren CVD-kiselkarbidråmaterial har följande egenskaper:
▪Hög renhet:extremt låg föroreningshalt, vilket säkerställer enhetens tillförlitlighet.
▪Hög kristallinitet:perfekt kristallstruktur, vilket bidrar till att förbättra enhetens prestanda.
▪Låg defektdensitet:litet antal defekter, vilket minskar enhetens läckström.
▪Stor storlek:Stora kiselkarbidsubstrat kan tillhandahållas för att möta olika kunders behov.
▪Anpassad service:olika typer och specifikationer av kiselkarbidmaterial kan anpassas efter kundens behov.
Produktfördelar
▪ Brett bandgap:Kiselkarbid har ett brett bandgap-karakteristik, vilket gör att den har utmärkt prestanda i tuffa miljöer som hög temperatur, högt tryck och hög frekvens.
▪Hög genombrottsspänning:Kiselkarbidenheter har en högre genomslagsspänning och kan tillverka enheter med högre effekt.
▪Hög värmeledningsförmåga:Kiselkarbid har utmärkt värmeledningsförmåga, vilket bidrar till enhetens värmeavledning.
▪Hög elektronmobilitet:Kiselkarbidenheter har en högre elektronrörlighet, vilket kan öka enhetens driftsfrekvens.
