Semiceras 8-tums N-typ SiC-skivor ligger i framkant av halvledarinnovation, och ger en solid bas för utvecklingen av högpresterande elektroniska enheter. Dessa wafers är designade för att möta de rigorösa kraven från moderna elektroniska applikationer, från kraftelektronik till högfrekventa kretsar.
Dopningen av N-typ i dessa SiC-skivor förbättrar deras elektriska ledningsförmåga, vilket gör dem idealiska för ett brett spektrum av applikationer, inklusive effektdioder, transistorer och förstärkare. Den överlägsna konduktiviteten säkerställer minimal energiförlust och effektiv drift, vilket är avgörande för enheter som arbetar med höga frekvenser och effektnivåer.
Semicera använder avancerad tillverkningsteknik för att producera SiC-skivor med exceptionell ytjämnhet och minimala defekter. Denna precisionsnivå är avgörande för applikationer som kräver konsekvent prestanda och hållbarhet, till exempel inom flyg-, fordons- och telekommunikationsindustrin.
Att införliva Semiceras 8-tums N-typ SiC-skivor i din produktionslinje ger en grund för att skapa komponenter som tål tuffa miljöer och höga temperaturer. Dessa wafers är perfekta för applikationer inom kraftomvandling, RF-teknik och andra krävande områden.
Att välja Semiceras 8-tums N-typ SiC-skivor innebär att investera i en produkt som kombinerar högkvalitativ materialvetenskap med exakt ingenjörskonst. Semicera har förbundit sig att utveckla kapaciteten hos halvledarteknologier och erbjuda lösningar som förbättrar effektiviteten och tillförlitligheten hos dina elektroniska enheter.
Föremål | Produktion | Forskning | Dummy |
Kristallparametrar | |||
Polytyp | 4H | ||
Ytorienteringsfel | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektriska parametrar | |||
Dopant | n-typ kväve | ||
Resistivitet | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mekaniska parametrar | |||
Diameter | 150,0±0,2 mm | ||
Tjocklek | 350±25 μm | ||
Primär platt orientering | [1-100]±5° | ||
Primär platt längd | 47,5±1,5 mm | ||
Sekundär lägenhet | Ingen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Rosett | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Varp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Främre (Si-face) grovhet (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Strukturera | |||
Mikropipdensitet | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
Metallföroreningar | ≤5E10atomer/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Främre kvalitet | |||
Främre | Si | ||
Ytfinish | Si-face CMP | ||
Partiklar | ≤60ea/wafer (storlek≥0,3μm) | NA | |
Repor | ≤5ea/mm. Kumulativ längd ≤Diameter | Kumulativ längd≤2*Diameter | NA |
Apelsinskal/gropar/fläckar/ränder/sprickor/kontamination | Ingen | NA | |
Kantspån/indrag/brott/sexplåtar | Ingen | ||
Polytypområden | Ingen | Kumulativ yta≤20 % | Kumulativ yta≤30 % |
Lasermärkning framtill | Ingen | ||
Ryggkvalitet | |||
Bakre finish | C-face CMP | ||
Repor | ≤5ea/mm, Kumulativ längd≤2*Diameter | NA | |
Ryggdefekter (kantspån/indrag) | Ingen | ||
Ryggsträvhet | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Rygglasermärkning | 1 mm (från överkant) | ||
Kant | |||
Kant | Avfasning | ||
Förpackning | |||
Förpackning | Epi-ready med vakuumförpackning Multi-wafer kassettförpackning | ||
*Anmärkningar: "NA" betyder ingen begäran. Objekt som inte nämns kan referera till SEMI-STD. |