Semiceras 6-tums N-typ SiC Wafer ligger i framkanten av halvledarteknik. Tillverkad för optimal prestanda, denna wafer utmärker sig i högeffekts-, högfrekvens- och högtemperaturapplikationer, avgörande för avancerade elektroniska enheter.
Vår 6-tums N-typ SiC-skiva har hög elektronrörlighet och lågt på-motstånd, vilket är kritiska parametrar för kraftenheter som MOSFET, dioder och andra komponenter. Dessa egenskaper säkerställer effektiv energiomvandling och minskad värmealstring, vilket förbättrar prestanda och livslängd för elektroniska system.
Semiceras rigorösa kvalitetskontrollprocesser säkerställer att varje SiC-skiva bibehåller utmärkt ytplanhet och minimala defekter. Denna noggranna uppmärksamhet på detaljer säkerställer att våra wafers uppfyller de stränga kraven från industrier som fordon, flyg och telekommunikation.
Förutom sina överlägsna elektriska egenskaper erbjuder SiC-skivan av N-typ robust termisk stabilitet och motståndskraft mot höga temperaturer, vilket gör den idealisk för miljöer där konventionella material kan misslyckas. Denna förmåga är särskilt värdefull i applikationer som involverar högfrekventa och högeffektsoperationer.
Genom att välja Semiceras 6-tums N-typ SiC Wafer investerar du i en produkt som representerar toppen av halvledarinnovation. Vi är fast beslutna att tillhandahålla byggstenarna för banbrytande enheter, för att säkerställa att våra partners inom olika branscher har tillgång till de bästa materialen för sina tekniska framsteg.
Föremål | Produktion | Forskning | Dummy |
Kristallparametrar | |||
Polytyp | 4H | ||
Ytorienteringsfel | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektriska parametrar | |||
Dopant | n-typ kväve | ||
Resistivitet | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mekaniska parametrar | |||
Diameter | 150,0±0,2 mm | ||
Tjocklek | 350±25 μm | ||
Primär platt orientering | [1-100]±5° | ||
Primär platt längd | 47,5±1,5 mm | ||
Sekundär lägenhet | Ingen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Rosett | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Varp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Främre (Si-face) grovhet (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Strukturera | |||
Mikropipdensitet | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
Metallföroreningar | ≤5E10atomer/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Främre kvalitet | |||
Främre | Si | ||
Ytfinish | Si-face CMP | ||
Partiklar | ≤60ea/wafer (storlek≥0,3μm) | NA | |
Repor | ≤5ea/mm. Kumulativ längd ≤Diameter | Kumulativ längd≤2*Diameter | NA |
Apelsinskal/gropar/fläckar/ränder/sprickor/kontamination | Ingen | NA | |
Kantspån/indrag/brott/sexplåtar | Ingen | ||
Polytypområden | Ingen | Kumulativ yta≤20 % | Kumulativ yta≤30 % |
Lasermärkning framtill | Ingen | ||
Ryggkvalitet | |||
Bakre finish | C-face CMP | ||
Repor | ≤5ea/mm, Kumulativ längd≤2*Diameter | NA | |
Ryggdefekter (kantspån/indrag) | Ingen | ||
Ryggsträvhet | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Rygglasermärkning | 1 mm (från överkant) | ||
Kant | |||
Kant | Avfasning | ||
Förpackning | |||
Förpackning | Epi-ready med vakuumförpackning Multi-wafer kassettförpackning | ||
*Anmärkningar: "NA" betyder ingen begäran. Objekt som inte nämns kan referera till SEMI-STD. |